供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM1200HC-50H

高壓IGBT晶體管模塊CM1200HC-50H

2500V高壓IGBT模塊CM1200HC-50H

北京京誠宏泰科技有限公司供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM1200HC-50H

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊FZ1200R12HE4P晶體管
優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點：擊穿電壓低，工作電流小。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。

軌道車輛中廣泛采用IGBT模塊構成牽引變流器以及輔助電源系統(tǒng)的恒壓恒頻（CVCF）逆變器。國外的地鐵或輕軌車輛輔助系統(tǒng)都采用方案多樣的IGBT器件。
動車組中，主變流器的開關使用耐壓高達6500V／600A的IGBT器件，輔助變流器采用開關頻率為1950Hz的PWM技術，由3臺雙IGBT和相關反并聯(lián)二極管組成，每臺雙IGBT組成三相中的一相

CM800HA-34H

CM2400HC-34N

CM800HB-50H

CM1200HG-66H

CM900HG-90H

CM1200DB-34N

CM800HA-50H

CM1200HC-50H

CM1800HC-66R

CM200HG-130H

CM1800HC-34H

CM1200HB-66H

CM800E6C-66H

CM600HG-90H

CM400HG-130H

CM1800HC-34N

CM1200HC-66H

CM1200HA-66H

CM800HG-90R

CM750HG-130R

CM1200HC-50H除了IGBT外， 該模塊還包括集成式(集成的)門驅(qū)動電路，以及檢測和防止過流、過壓、過熱和門驅(qū)動電壓不足(門極驅(qū)動欠壓)等故障的電路。

電力機車牽引的兩電平變頻器IPM模塊PM1200HCE330-1

HVIPM（High Voltage Inligent Power Module）為了進一步發(fā)揮IGBT芯片的性能，采用的驅(qū)動電路，是將自我保護（過電流、控制電源電壓降低、過熱）功能等實現(xiàn)IC化的高性能模塊。為大容量變換器裝置的小型化和節(jié)能化貢獻力量，作為IPM，產(chǎn)品陣容中的zui大額定值達到3.3kV/1.2kA北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨北京京誠宏泰科技有限公司供應IGBT模塊CM800DZ-34H

PM1200HCE330-1主要用途變換器裝置 / 換流器裝置 / DC斬波器裝置

CM900HC-90H 203

CM900HC-90H 204

CM900HB-90H
CM900HG-90H

CM1200HC-66H

CM1200HB-66H 209

CM1200HG-90R

MG900GXH1US53

CM750HG-130R

CM600HG-130H

DTR0000205475/H

FZ1500R33HE3

IGBT逆變模塊IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2

IGBT制動模塊IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斬波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B

ACM（IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi  MBL400E33D3EGM065727R0001

北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經(jīng)銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應商。

專業(yè)銷售國內(nèi)外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC，美國IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON，法國湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅(qū)動、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動板，電源板，通信板，接口板

操作面板  

CM800DZ-34H

CM2400HC-34N

CM800HC-66H

CM1500HC-66R

CM1000HC-66R

DD600N16K-A

5SNA 1200E330100

CM1200HG-66H

FZ1200R33KL2C_B5

ST1200FXF22

CM900HB-90H

MG900GXH1US53

CM750HG-130R

CM1200HG-90R

T0900EA45A

5SNA 0600G650100

CM400HG-130H

CM600HG-130H

CM400HG-130H

CM750HG-130R